GBL02 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	GBL02
État de la pièce	Active
Type de diode	Single Phase
La technologie	Standard
Tension - Peak Reverse (Max)	200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	4A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 4A
Courant - Fuite inverse @ Vr	5µA @ 200V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	4-SIP, GBL
Package de périphérique fournisseur	GBL
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GB-15000-44	ORIGINAL	GB-15000-44 ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
GB-IR333A21BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Détails
GB-IR333A21C	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Détails
GB-IR333A31BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Détails
GB-IR333A31C	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Détails
GB-IR333A51BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Détails
GB-IR333A51C	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Détails
GB-IR333B21BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Détails
GB-IR333B21C	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Détails
GB-IR333B31BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Détails