GA05JT03-46 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	GA05JT03-46
État de la pièce	Active
FET Type	-
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss)	300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 5A
Température de fonctionnement	-55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-46
Paquet / cas	TO-46-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GA05JT01-46	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 100V 9A	Détails
GA05JT03-46	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 300V 9A	Détails
GA05JT12-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 5A	Détails
GA05JT12-263	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 15A	Détails