1N5830R

1N5830R - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
1N5830R
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
1N5830R.pdf
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1931 pcs
Prix ​​de référence
USD 13.1608/pcs
Notre prix
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1N5830R Description détaillée

Numéro d'article 1N5830R
État de la pièce Active
Type de diode Schottky, Reverse Polarity
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 25V
Courant - Rectifié moyen (Io) 25A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 580mV @ 25A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 2mA @ 20V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Chassis, Stud Mount
Paquet / cas DO-203AA, DO-4, Stud
Package de périphérique fournisseur DO-4
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Poids -
Pays d'origine -

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