• France
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Diodes - Redresseurs - Simples › 1N5826
1N5826

1N5826 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
1N5826
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO5
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
1N5826 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
1N5826.pdf
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2025 pcs
Prix ​​de référence
USD 13.1608/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour 1N5826

1N5826 Description détaillée

Numéro d'article 1N5826
État de la pièce Active
Type de diode Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 20V
Courant - Rectifié moyen (Io) 15A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 440mV @ 15A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 10mA @ 20V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Chassis, Stud Mount
Paquet / cas DO-203AB, DO-5, Stud
Package de périphérique fournisseur DO-5
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 150°C
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR 1N5826

Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
1N-SS119 1N-SS119 SEMTECH_ELEC SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE Détails
1N-SS254 1N-SS254 SEMTECH Packing Specification of 52mm Ammo Pack Détails
1N102 1N102 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Détails
1N103 1N103 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Détails
1N104 1N104 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Détails
1N107 1N107 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Détails
1N108 1N108 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Détails
1N1081 1N1081 EXSHINE 1N1081 Détails
1N1081A 1N1081A EXSHINE 1N1081 Détails
1N1082 1N1082 EXSHINE 1N1081 Détails