1N4595R - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	1N4595R
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard, Reverse Polarity
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	150A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.5V @ 150A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	4mA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F	-
Type de montage	Chassis, Stud Mount
Paquet / cas	DO-205AA, DO-8, Stud
Package de périphérique fournisseur	DO-205AA (DO-8)
Température de fonctionnement - Jonction	-60°C ~ 200°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
1N4001	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	Détails
1N4001 BK	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURPOSE DO41	Détails
1N4001 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURPOSE DO41	Détails
1N4001(M1)	TOS	1N4001(M1) TOS 1808L New Original Stocks	Détails
1N4001-A	DIODES	1.0A RECTIFIER	Détails
1N4001-B	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	Détails
1N4001-E3/53	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	Détails
1N4001-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	Détails
1N4001-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	Détails
1N4001-G	Comchip Technology	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	Détails