1N1200A

1N1200A - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
1N1200A
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
1N1200A.pdf
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
487 pcs
Prix ​​de référence
USD 4.6/pcs
Notre prix
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1N1200A Description détaillée

Numéro d'article 1N1200A
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Courant - Rectifié moyen (Io) 12A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.1V @ 12A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Chassis, Stud Mount
Paquet / cas DO-203AA, DO-4, Stud
Package de périphérique fournisseur DO-4
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 200°C
Poids -
Pays d'origine -

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