• France
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Diodes - Redresseurs - Simples › 1N1190
1N1190

1N1190 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
1N1190
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
1N1190 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
1N1190.pdf
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3971 pcs
Prix ​​de référence
USD 6.7883/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour 1N1190

1N1190 Description détaillée

Numéro d'article 1N1190
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Courant - Rectifié moyen (Io) 35A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.2V @ 35A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Chassis, Stud Mount
Paquet / cas DO-203AB, DO-5, Stud
Package de périphérique fournisseur DO-5
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 190°C
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR 1N1190

Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
1N-SS119 1N-SS119 SEMTECH_ELEC SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE Détails
1N-SS254 1N-SS254 SEMTECH Packing Specification of 52mm Ammo Pack Détails
1N102 1N102 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Détails
1N103 1N103 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Détails
1N104 1N104 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Détails
1N107 1N107 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Détails
1N108 1N108 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Détails
1N1081 1N1081 EXSHINE 1N1081 Détails
1N1081A 1N1081A EXSHINE 1N1081 Détails
1N1082 1N1082 EXSHINE 1N1081 Détails