MB85R1002ANC-GE1 - Fujitsu Electronics America, Inc.

Numéro d'article	MB85R1002ANC-GE1
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	FRAM
La technologie	FRAM (Ferroelectric RAM)
Taille mémoire	1Mb (64K x 16)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	150ns
Temps d'accès	150ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	3 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur	48-TSOP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MB85R1001	FUJITSU	Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K 】 8)	Détails
MB85R1001ANC-GE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 1MBIT 150NS 48TSOP	Détails
MB85R1001PFTN	FUJITSU	1 M Bit (128 K 】 8)	Détails
MB85R1001PFTN-GE1	FUJITSU	Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K 】 8)	Détails
MB85R1001_08	FUJITSU	1 M Bit (128 K 】 8)	Détails
MB85R1001_09	FUJITSU	Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K 】 8)	Détails
MB85R1002	FUJITSU	Memory FRAM CMOS 1 M Bit (64 K 】 16)	Détails
MB85R1002ANC-GE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 1MBIT 150NS 48TSOP	Détails
MB85R1002BGT-GE1	FUJITSU	Memory FRAM CMOS 1 M Bit (64 K 】 16)	Détails
MB85R1002PFTN	FUJITSU	Memory FRAM	Détails