HUF76629D3

HUF76629D3 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
HUF76629D3
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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4135 pcs
Prix ​​de référence
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HUF76629D3 Description détaillée

Numéro d'article HUF76629D3
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1285pF @ 25V
Vgs (Max) ±16V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-251AA
Paquet / cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids -
Pays d'origine -

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