FQD6N50CTM - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article	FQD6N50CTM
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.5W (Ta), 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D-Pak
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FQD60N03	FSC	FQD60N03 FSC TO252 New Original Stocks	Détails
FQD60N03L	FAIRCHILD	FQD60N03L FAIRCHILD TO-252 New Original Stocks	Détails
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FQD630TF	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7A DPAK	Détails
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FQD6N25TF	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK	Détails
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FQD6N40CTF	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK	Détails
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