FQB20N06TM

FQB20N06TM - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FQB20N06TM
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
New
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4272 pcs
Prix ​​de référence
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FQB20N06TM Description détaillée

Numéro d'article FQB20N06TM
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 25V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.75W (Ta), 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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