FQB13N06LTM - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article	FQB13N06LTM
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	13.6A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.75W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 6.8A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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