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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › FJV4101RMTF
FJV4101RMTF

FJV4101RMTF - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FJV4101RMTF
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FJV4101RMTF Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
779861 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0324/pcs
Notre prix
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FJV4101RMTF Description détaillée

Numéro d'article FJV4101RMTF
État de la pièce Last Time Buy
Type de transistor PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 4.7k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition 200MHz
Puissance - Max 200mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Poids -
Pays d'origine -

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