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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › FJV3113RMTF
FJV3113RMTF

FJV3113RMTF - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FJV3113RMTF
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
661189 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0391/pcs
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FJV3113RMTF Description détaillée

Numéro d'article FJV3113RMTF
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 200mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Poids -
Pays d'origine -

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