FDY102PZ - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article	FDY102PZ
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	830mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.1nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	135pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 830mA, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SC-89-3
Paquet / cas	SC-89, SOT-490
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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