FDS3890

FDS3890 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDS3890
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FDS3890 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
12500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.7753/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour FDS3890

FDS3890 Description détaillée

Numéro d'article FDS3890
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 40V
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR FDS3890