FDS3812

FDS3812 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDS3812
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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4279 pcs
Prix ​​de référence
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FDS3812 Description détaillée

Numéro d'article FDS3812
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 634pF @ 40V
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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