FDP050AN06A0

FDP050AN06A0 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDP050AN06A0
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FDP050AN06A0 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
522 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.35/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour FDP050AN06A0

FDP050AN06A0 Description détaillée

Numéro d'article FDP050AN06A0
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 80A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220-3
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR FDP050AN06A0