FDP030N06B_F102 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article	FDP030N06B_F102
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	99nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8030pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220-3
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FDP030N06	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 120A TO220	Détails
FDP030N06B-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3	Détails
FDP030N06B_F102	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3	Détails
FDP032N08	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 75V 120A TO-220	Détails
FDP032N08-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220	Détails
FDP032N08B-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3	Détails
FDP032N08B_F102	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3	Détails
FDP032N08_F102	Fairchild/ON Semiconductor	PT3 MV 75V 3.2MOHM FOR DELTA	Détails
FDP036N10A	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3	Détails
FDP038AN06A0	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB	Détails