FDME910PZT

FDME910PZT - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDME910PZT
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FDME910PZT Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
90193 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.297/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour FDME910PZT

FDME910PZT Description détaillée

Numéro d'article FDME910PZT
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2110pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 8A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur MicroFet 1.6x1.6 Thin
Paquet / cas 6-PowerUFDFN
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR FDME910PZT