FDC6506P

FDC6506P - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDC6506P
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FDC6506P Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
150000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2421/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour FDC6506P

FDC6506P Description détaillée

Numéro d'article FDC6506P
État de la pièce Active
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Puissance - Max 700mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur SuperSOT™-6
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR FDC6506P