FDC3601N

FDC3601N - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDC3601N
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
103462 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2491/pcs
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FDC3601N Description détaillée

Numéro d'article FDC3601N
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
Puissance - Max 700mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur SuperSOT™-6
Poids -
Pays d'origine -

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