FCH190N65F_F085

FCH190N65F_F085 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FCH190N65F_F085
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
735 pcs
Prix ​​de référence
USD 5.24/pcs
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FCH190N65F_F085 Description détaillée

Numéro d'article FCH190N65F_F085
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20.6A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3181pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 27A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

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