EPC2104ENG

EPC2104ENG - EPC

Numéro d'article
EPC2104ENG
Fabricant
EPC
Brève description
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
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4023 pcs
Prix ​​de référence
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EPC2104ENG Description détaillée

Numéro d'article EPC2104ENG
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 50V
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas Die
Package de périphérique fournisseur Die
Poids -
Pays d'origine -

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