ZXMP6A16DN8QTA - Diodes Incorporated

Numéro d'article	ZXMP6A16DN8QTA
État de la pièce	Active
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	24.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1021pF @ 30V
Puissance - Max	1.81W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SO
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
ZXMP6A13FQTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3	Détails
ZXMP6A13FTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3	Détails
ZXMP6A13G	ZETZX	ZXMP6A13G ZETZX SOT-22.. New Original Stocks	Détails
ZXMP6A13GQTA	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223	Détails
ZXMP6A13GTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223	Détails
ZXMP6A16DN8QTA	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC	Détails
ZXMP6A16DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC	Détails
ZXMP6A16DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC	Détails
ZXMP6A16GTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH SOT223	Détails
ZXMP6A16KTC	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V DPAK	Détails