ZXMP10A17E6TA - Diodes Incorporated

Numéro d'article	ZXMP10A17E6TA
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	424pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 1.4A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-26
Paquet / cas	SOT-23-6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
ZXMP10A13FQTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3	Détails
ZXMP10A13FTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3	Détails
ZXMP10A16KTC	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 100V 3A DPAK	Détails
ZXMP10A17E6	DIODES	ZXMP10A17E6 DIODES TSOP-6 New Original Stocks	Détails
ZXMP10A17E6QTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6	Détails
ZXMP10A17E6TA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6	Détails
ZXMP10A17GQTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 100V SOT223	Détails
ZXMP10A17GQTC	Diodes Incorporated	MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223	Détails
ZXMP10A17GTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223	Détails
ZXMP10A17KTC	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK	Détails