ZXMN3A04DN8TA - Diodes Incorporated

Numéro d'article	ZXMN3A04DN8TA
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	36.8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1890pF @ 15V
Puissance - Max	1.81W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SOP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
ZXMN3A01E6	DIODES	ZXMN3A01E6 DIODES TSOP-6 New Original Stocks	Détails
ZXMN3A01E6TA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6	Détails
ZXMN3A01E6TC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6	Détails
ZXMN3A01FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3	Détails
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ZXMN3A02N8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC	Détails
ZXMN3A02N8TC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 8SOIC	Détails
ZXMN3A02X8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP	Détails
ZXMN3A02X8TC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP	Détails