ZXMN2069FTA - Diodes Incorporated

Numéro d'article	ZXMN2069FTA
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	-
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-3
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
ZXMN	ZETEX	ZXMN ZETEX MSOP-8 New Original Stocks	Détails
ZXMN0545FFTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 450V SOT23F-3	Détails
ZXMN0545G4TA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223	Détails
ZXMN10A07F	ZETEX	ZXMN10A07F ZETEX SOT-23 New Original Stocks	Détails
ZXMN10A07FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3	Détails
ZXMN10A07FTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3	Détails
ZXMN10A07ZTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89	Détails
ZXMN10A08	ZETEX	ZXMN10A08 ZETEX SOP8 New Original Stocks	Détails
ZXMN10A08DN8	ZETEX	ZXMN10A08DN8 ZETEX SOP8 New Original Stocks	Détails
ZXMN10A08DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC	Détails