| Numéro d'article | ZXMHC3A01T8TA |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.7A, 2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 25V |
| Puissance - Max | 1.3W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-223-8 |
| Package de périphérique fournisseur | SM8 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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ZXMHC10A07N8 | DIODES | 100V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge | Détails |
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ZXMHC10A07N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC | Détails |
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ZXMHC10A07T8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 | Détails |
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ZXMHC3A01N8 | DIODES | 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge | Détails |
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ZXMHC3A01N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC | Détails |
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ZXMHC3A01T8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8 | Détails |
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ZXMHC3F381N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC | Détails |
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ZXMHC6A07N8 | DIODES | 60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge | Détails |
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ZXMHC6A07N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC | Détails |
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ZXMHC6A07T8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 | Détails |
