| Numéro d'article | ZXGD3006E6QTA |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Configuration pilotée | Low-Side |
| Type de canal | Single |
| Nombre de pilotes | 1 |
| Type de porte | IGBT, SiC MOSFET |
| Tension - Alimentation | 40V (Max) |
| Tension logique - VIL, VIH | - |
| Courant - sortie de crête (source, évier) | 10A, 10A |
| Type d'entrée | Non-Inverting |
| Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 48ns, 35ns |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-23-6 |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-26 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Détails |
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ZXGD3001E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Détails |
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ZXGD3002E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Détails |
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ZXGD3003E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Détails |
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ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Détails |
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ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Détails |
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ZXGD3009DYTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 | Détails |
