ZVN4210GTA - Diodes Incorporated

Numéro d'article	ZVN4210GTA
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	800mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-223
Paquet / cas	TO-261-4, TO-261AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
ZVN4106F	DIODES	ZVN4106F DIODES SOT-23 New Original Stocks	Détails
ZVN4106FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3	Détails
ZVN4106FTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT23-3	Détails
ZVN4206A	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3	Détails
ZVN4206ASTOA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3	Détails
ZVN4206ASTOB	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3	Détails
ZVN4206ASTZ	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3	Détails
ZVN4206AV	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3	Détails
ZVN4206AVSTOA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3	Détails
ZVN4206AVSTOB	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3	Détails