UMG4N-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	UMG4N-7
État de la pièce	Active
Type de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	-
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	-
Fréquence - Transition	250MHz
Puissance - Max	150mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Package de périphérique fournisseur	SOT-353
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
UMG10	ROHM	UMG10 ROHM SOT353 New Original Stocks	Détails
UMG10N	ROHM	General purpose (dual digital transistors)	Détails
UMG11	ROHM	UMG11 ROHM SOT-35.. New Original Stocks	Détails
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UMG11NTR	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5	Détails
UMG1N	ROHM	General purpose (dual digital transistors)	Détails
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