MMBF170Q-13-F

MMBF170Q-13-F - Diodes Incorporated

Numéro d'article
MMBF170Q-13-F
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET N-CH 60V 0.5A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Prix ​​de référence
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MMBF170Q-13-F Description détaillée

Numéro d'article MMBF170Q-13-F
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-23
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids -
Pays d'origine -

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