FZT1151ATA - Diodes Incorporated

Numéro d'article	FZT1151ATA
État de la pièce	Active
Type de transistor	PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	3A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250mA, 3A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 500mA, 2V
Puissance - Max	2.5W
Fréquence - Transition	145MHz
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-261-4, TO-261AA
Package de périphérique fournisseur	SOT-223
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FZT1047A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	Détails
FZT1047ATA	Diodes Incorporated	TRANS NPN 10V 5A SOT-223	Détails
FZT1047ATC	Diodes Incorporated	TRANS NPN 10V 5A SOT223	Détails
FZT1048A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	Détails
FZT1048ATA	Diodes Incorporated	TRANS NPN 17.5V 5A SOT-223	Détails
FZT1048ATC	Diodes Incorporated	TRANS NPN 17.5V 5A SOT223	Détails
FZT1049A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	Détails
FZT1049ATA	Diodes Incorporated	TRANS NPN 25V 5A SOT-223	Détails
FZT1049ATC	Diodes Incorporated	TRANS NPN 25V 5A SOT223	Détails
FZT1051A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	Détails