EMF21-7

EMF21-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
EMF21-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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1 Day
Code de date
New
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4371 pcs
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EMF21-7 Description détaillée

Numéro d'article EMF21-7
État de la pièce Obsolete
Type de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V, 12V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz, 280MHz
Puissance - Max 300mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-563
Poids -
Pays d'origine -

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