DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMTH8012LK3Q-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET NCH 80V 50A TO252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DMTH8012LK3Q-13 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
50941 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.5233/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13 Description détaillée

Numéro d'article DMTH8012LK3Q-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 46.8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2051pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252-4L
Paquet / cas TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR DMTH8012LK3Q-13