DMTH4004SK3Q-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMTH4004SK3Q-13
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	68.6nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4305pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 90A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252-4L
Paquet / cas	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMTH4004LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 40V 100A TO252	Détails
DMTH4004LK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 40V 100A TO252	Détails
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