DMP21D0UFB4-7B - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMP21D0UFB4-7B
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	770mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.54nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	430mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	495 mOhm @ 400mA, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	X2-DFN1006-3
Paquet / cas	3-XFDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMP2100U-7	Diodes Incorporated	MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23	Détails
DMP2100UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB	Détails
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DMP2100UFU-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6	Détails
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