DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMN80H2D0SCTI
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET BVDSS: 651V 800V ITO-220A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DMN80H2D0SCTI Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
18775 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.449/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI Description détaillée

Numéro d'article DMN80H2D0SCTI
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 35.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1253pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 2.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur ITO-220AB
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR DMN80H2D0SCTI