DMN32D2LDF-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN32D2LDF-7
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual) Common Source
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	39pF @ 3V
Puissance - Max	280mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Package de périphérique fournisseur	SOT-353
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMN3005LK3	DIODES	DMN3005LK3 DIODES TO252-.. New Original Stocks	Détails
DMN3005LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L	Détails
DMN3007LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC	Détails
DMN3007LSSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8	Détails
DMN3008SCP10-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415	Détails
DMN3008SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	Détails
DMN3008SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	Détails
DMN3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	Détails
DMN3008SFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	Détails
DMN3009LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	Détails