DMN3270UVT-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN3270UVT-7
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 650mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 40µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.07nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	161pF @ 15V
Puissance - Max	760mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur	TSOT-26
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMN3005LK3	DIODES	DMN3005LK3 DIODES TO252-.. New Original Stocks	Détails
DMN3005LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L	Détails
DMN3007LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC	Détails
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DMN3008SCP10-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415	Détails
DMN3008SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	Détails
DMN3008SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	Détails
DMN3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	Détails
DMN3008SFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	Détails
DMN3009LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	Détails