DMN3150LW-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN3150LW-7
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	28V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	305pF @ 5V
Vgs (Max)	±12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-323
Paquet / cas	SC-70, SOT-323
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMN3005LK3	DIODES	DMN3005LK3 DIODES TO252-.. New Original Stocks	Détails
DMN3005LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L	Détails
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DMN3008SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	Détails
DMN3008SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	Détails
DMN3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	Détails
DMN3008SFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	Détails
DMN3009LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	Détails