DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMN3029LFG-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
5000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1961/pcs
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DMN3029LFG-7 Description détaillée

Numéro d'article DMN3029LFG-7
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.6 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerDI3333-8
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Poids -
Pays d'origine -

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