| Numéro d'article | DMN26D0UT-7 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 230mA (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14.1pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-523 |
| Paquet / cas | SOT-523 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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DMN2004DMK | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Détails |
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