DMN2300UFD-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN2300UFD-7
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.21A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	67.62pF @ 25V
Vgs (Max)	±8V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 900mA, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	X1-DFN1212-3
Paquet / cas	3-UDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMN2004DMK	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Détails
DMN2004DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26	Détails
DMN2004DWK	DIODES	DMN2004DWK DIODES SOT363 New Original Stocks	Détails
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