DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMN2022UFDF-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1423/pcs
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DMN2022UFDF-7 Description détaillée

Numéro d'article DMN2022UFDF-7
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.9A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 907pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 4A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-UDFN2020 (2x2)
Paquet / cas 6-UDFN Exposed Pad
Poids -
Pays d'origine -

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