DMN1150UFL3-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN1150UFL3-7
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	115pF @ 6V
Puissance - Max	390mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SO
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	DMN1150UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN	Détails
	DMN1150UFL3-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310	Détails