DMHC3025LSD-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMHC3025LSD-13
État de la pièce	Active
FET Type	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6A, 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	11.7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 15V
Puissance - Max	1.5W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SO
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	DMHC3025LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO	Détails
	DMHC3025LSDQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC	Détails