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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Matrices › DMG9926UDM-7
DMG9926UDM-7

DMG9926UDM-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMG9926UDM-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
15000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1961/pcs
Notre prix
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DMG9926UDM-7 Description détaillée

Numéro d'article DMG9926UDM-7
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 856pF @ 10V
Puissance - Max 980mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6
Package de périphérique fournisseur SOT-26
Poids -
Pays d'origine -

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