DMG8601UFG-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMG8601UFG-7
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.05V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	143pF @ 10V
Puissance - Max	920mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-PowerUDFN
Package de périphérique fournisseur	U-DFN3030-8
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMG8023SS	DIODES	DMG8023SS DIODES QFN New Original Stocks	Détails
DMG8601UFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN	Détails
DMG8822UTS-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP	Détails
DMG8880LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L	Détails
DMG8880LSS	DIODES	DMG8880LSS DIODES SO-8 New Original Stocks	Détails
DMG8880LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC	Détails
DMG8N65SCT	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220-3	Détails